RAMM開発センター
Gwent Electronic Materials社(GEM)の導電性ペースト
単層/積層セラミックデバイス用ペースト(Ag, Pt, Pd, Au)
- LTCCテープ向けペースト
- 内部電極向けペースト
- 外部電極向けペースト
- 燃料電池(SOFC)電極向けペースト
- ガスセンサー向けペースト
■ セラミックデバイス電極
| 製品名 | 用途 | フィラー | 焼成温度 | シート抵抗 | 特徴 |
|---|---|---|---|---|---|
| C2031105D2 | SOFC向け電極 | Pd | >850℃ | 低収縮、 セラミックス基板との密着良好 |
|
| C2000904P3 | Pt | >850℃ | 低収縮、 セラミックス基板との密着良好 |
||
| C2020422D6 | Ni | N2焼成 | Ni粒子の粒度分布が狭い | ||
| C2011004P5 | 酸素センサー向け電極 | Pt | 1000-1300℃ | ||
| C2000904P3 | >850℃ | 低収縮、 セラミックス基板との密着良好 |
|||
| C2010809D3 | LTCCテープ向け電極 | Ag | 850℃ | 1.4mΩ/□@32.5μm | 低収縮、ビア配線用 |
| C2050303D1 | >700℃ | 2.1mΩ/□@18μm | 50μmファインライン対応 | ||
| C2010515D4 | 850℃ | 2.1mΩ/□@18μm | 内部電極向け、 収縮差による反りを抑制 |
||
| C2010829D2 | 2.5mΩ/□@21μm | 高解像、ファインライン対応 | |||
| C2000808D2 | バックライト向け電極 | Ag | |||
| C2000808D1 | |||||
| D2020409D8 | ステンレス基板向け絶縁膜 | 850℃ | ステンレス基板向け絶縁膜 | ||
| C2090512D1 | PZT積層デバイス向け 内部電極 |
Ag-Pd = 70:30 | 850-1150℃ | ||
| C2021031D2 | Ag:Pd = 85:15 | PVBテープ用 | |||
| C2021031D3 | Ag:Pd = 90:10 | PVBテープ用 | |||
| C2050830D8 | PZT単層デバイス向け 実装用 | Ag:Pd = 80:20 | 850℃ | 17mΩ/□@9μm | 鉛フリーはんだ用 |
| C2000107P3 | PZT単層デバイス向け 外部電極 |
Ag | 700-800℃ | 6mΩ/□@15μm | |
| C2050926D2 | 6mΩ/□@15μm | C2000107P3の鉛フリー品 | |||
| C2061206D1 | PTCサーミスタ向け電極 | Ag/Ag-Zn | 鉛フリー品、トップコート不用 | ||
| C2061103D7 | Ag-Zn | 7.1mΩ/□@21μm | 鉛フリー品、ベースコート用 | ||
| C2060217D3 | Ag | 550℃ | 5.5mΩ/□@20.6μm | 鉛フリー品、トップコート用 | |
| C2071218D1 | NTCサーミスタ向け外部電極 | Au | 750-850℃ in O2 | ROHS適合 | |
| C2070117D2 | 外部電極 | Au | 750-850℃ in O2 | 多孔質電極形成 | |
| C1991025D2 | 多孔質電極形成 | ||||
| C2010309P3 | Pt | 1000-1300℃ in O2 | ガラスフリット入り。 Pt:Frit=70:5 (w%) |
各ペーストは、スクリーン印刷用に調整をしております。
また、お客様のお使いの印刷機やご所望の膜厚に合わせて調整することが可能です。是非ご相談下さい。
RAMM開発センター TEL.0229-52-5161
〒989-6313 宮城県大崎市三本木音無字山崎26-2
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