セラミックデバイス電極
製品名
用途
フィラー
焼成温度
シート抵抗
特徴
C2031105D2
SOFC向け電極
Pd
>850℃
低収縮、セラミックス基板との密着良好
C2000904P3
Pt
C2020422D6
Ni
N2焼成
Ni粒子の粒度分布が狭い
C2011004P5
酸素センサー向け電極
1000-1300℃
C2010809D3
LTCCテープ向け電極
Ag
850℃
1.4mΩ/□@32.5μm
低収縮、ビア配線用
C2050303D1
>700℃
2.1mΩ/□@18μm
50μmファインライン対応
C2010515D4
内部電極向け、収縮差による反りを抑制
C2010829D2
2.5mΩ/□@21μm
高解像、ファインライン対応
C2000808D2
バックライト向け電極
C2000808D1
D2020409D8
ステンレス基板向け絶縁膜
C2090512D1
PZT積層デバイス向け内部電極
Ag-Pd = 70:30
850-1150℃
C2021031D2
Ag:Pd = 85:15
PVBテープ用
C2021031D3
Ag:Pd = 90:10
C2050830D8
PZT単層デバイス向け 実装用
Ag:Pd = 80:20
17mΩ/□@9μm
鉛フリーはんだ用
C2000107P3
PZT単層デバイス向け外部電極
700-800℃
6mΩ/□@15μm
C2050926D2
C2000107P3の鉛フリー品
C2061206D1
PTCサーミスタ向け電極
Ag/Ag-Zn
鉛フリー品、トップコート不用
C2061103D7
Ag-Zn
7.1mΩ/□@21μm
鉛フリー品、ベースコート用
C2060217D3
550℃
5.5mΩ/□@20.6μm
鉛フリー品、トップコート用
C2071218D1
NTCサーミスタ向け外部電極
Au
750-850℃ in O2
ROHS適合
C2070117D2
外部電極
多孔質電極形成
C1991025D2
C2010309P3
1000-1300℃ in O2
ガラスフリット入り。Pt:Frit=70:5 (w%)