本材料を用いることにより、低リーク電流と高誘電率を両立した誘電体層を形成することが可能です。
製膜は回転塗布法（スピンコーター）やディップ法など一般的なウエット塗布方式で行えます。 

1.　特徴

・塗布法により簡単に高誘電体層が形成できます。 
・低温（120℃/60分）から使えます。
・極めて良好な鏡面膜が得られます。
・可視光で透明です。
・比誘電率10〜30程度。
 

2.　使用方法

：　3000rpm/20sec、　溶液を基板上へそのまま滴下すれば良いです。
：　120C/1min、　ホットプレートで良いです。
：　120C/60min 〜 250℃/60min　（アプリケーションによる）
　　(高温タイプは350℃以上でも使用可）
 

3.　リーク特性例

また、印加電圧の増加によるリーク電流の上昇も比較的小さくなっています。

成膜温度

：　120℃/60分

総膜厚

：　350nm

比誘電率

：　15 @1kHz

繰り返し性

：　同一電極（＃I10）を5回繰り返し測定。　再現性も良い。

4.　用途

 各種ディスプレイ、電子デバイスの容量絶縁膜など

低温で成膜ができますのでフレキシブル基板への対応も可能です。

IPA（2-プロパノール）やアセトンなど有機溶剤への耐性も高く溶解しません。